Как отмечают разработчики, современным микросхемам памяти для надежного хранения одного бита информации требуется около 200 000 электронов. В новой разработке эта задача решена с помощью двумерного флеш-чипа на основе графена. Конструкция предотвращает выход электронов из ячейки памяти и усиливает их сигнал. Во время испытаний сигнал одного электрона достигал примерно 0,5 В, тогда как в других экспериментальных системах этот показатель обычно составляет лишь десятки милливольт.
Технология получила название Guiyi («Возвращение к одному»). В ходе исследований ученым также удалось подтвердить эффекты квантования напряжения программирования и саморегулируемого программирования.
Авторы считают, что после перехода к массовому производству новая разработка может существенно повлиять на рынок устройств памяти. Ранее эта же исследовательская группа представила сверхбыструю энергонезависимую память PoX и платформу Changying для интеграции двумерных чипов с кремниевой электроникой.